viernes, 11 de octubre de 2013

Seminario : Transporte de carga en nanocristales: Dos fases y “variable range hopping”

Seminario : Transporte de carga en nanocristales: Dos fases y “variable range hopping”:

Que será impartido por el
Dr. Orlando Zalaya Angel
Departamento de Física
CINVESTAV 
El próximo día Jueves 17 de Octubre de 2013 a las 12:50 horas
En la sala audiovisual de la Unidad Académica de Física
Resumen: Nanocristales de CdSe con radio promedio de partícula en el rango 7.7 a 12.4 nm fueron obtenidas por síntesis química. A bajas temperaturas de preparación (Tb = 0 - 30 ºC) CdSe crece principalmente en la fase hexagonal wurtzita (W). A valores intermedios (40< Tb <50 ºC) en una mezcla de fases wurtzita y cúbica zincblenda (ZB). A valores mayores (50 ºC < Tb <90 °C) ZB es la estructura dominante. La conductividad electrica () como función de la temperatura absoluta (T), para las muestras preparadas con los diferentes valores de Tb, muestra una transición W ZB cuando Tb = 40 ºC, para este valor crítico a la vez ocurre una transición aislante(A)-metal(M). Se ha explicado el origen de la transición A M por el desorden creado por la cantidad de defectos que se originan por el cambio de fase W ZB cuando Tb = 40 °C. La conductividad eléctrica como función de T en el intervalo 90 K <Tb < 250 K sigue los modelos de regímenes de Salto de Rango Variable [“Variable range hopping” (VRH)] de los portadores que se desplazan dentro de la banda de energías prohibidas. Régimen de “Hard Gap” (HG) cuando 90 K  < T < 150 K y de Efros-Shklovskii (ES) cuando 150 K  < T  < 250 K. El modelo HG es influenciado por la presencia de campos dipolares en el volumen del material y el ES por la interacción Coulombiana de los electrones. Se discute en más detalle sobre los mecanismos de “hopping” de los portadores.